Pesquisadores descobriram recentemente um mecanismo que permite a um feixe de laser concentrado alterar o estado magnético de um material sólido. Este avanço poderia revolucionar as memórias de computador ultrarrápidas.
Os cientistas formularam uma nova equação que descreve a ligação entre a amplitude do campo magnético da luz, sua frequência e as propriedades de absorção de energia de um material magnético.
Os pesquisadores publicaram seus resultados na revista
Physical Review Research, apresentando uma equação inédita que relaciona a amplitude do campo magnético da luz à sua frequência e às propriedades de absorção de energia do material magnético. Esta equação abre caminho para novas aplicações em magneto-óptica, um campo até agora pouco compreendido, onde o componente magnético de uma onda luminosa oscilando rapidamente pode controlar ímãs.
Em informática, a memória utiliza eletroímanes miniaturizados ativados por tensão para armazenar dados, lidos posteriormente como estados binários "ligado" ou "desligado". A memória volátil, comum nos dispositivos móveis, perde todos os seus dados uma vez desligada.
No entanto, esta nova descoberta é mais relevante para uma tecnologia chamada memória magnetorresistiva (MRAM), usada principalmente na aeroespacial além de aplicações militares e industriais. Diferente da memória volátil, a MRAM não perde seus dados ao desligar e poderia ser otimizada para um desempenho melhorado graças a esta pesquisa.
A interação entre um material magnético e a radiação quando eles não estão em equilíbrio representa também uma fronteira relacionada às estranhas leis da mecânica quântica. A nova equação permitiria considerar o registro magnético óptico e avançar em direção a dispositivos de armazenamento magnético óptico densos, econômicos em energia e rentáveis, que ainda não existem.
Este tecnologia poderia, eventualmente, resultar em componentes MRAM muito mais rápidos e eficientes que as memórias atuais, usando durações de ciclo óptico que podem ser um milhão de vezes mais rápidas que as das memórias convencionais.
Fonte: Physical Review Research