A l'Université Polytechnique de Catalogne, des chercheurs ont mis au point une méthode permettant de produire en grande quantité des wafers de silicium d'une épaisseur minimale. Les besoins de miniaturisation et la multiplication des couplages entre diverses structures microélectronique ont créé une réelle demande sur ce type de produit auxquelles les techniques actuelles ne peuvent pas répondre.
Wafer classique composé de multiples puces MRAM
La miniaturisation des circuits électroniques a été une quête permanente ces dernières décennies. Toujours plus petits, toujours plus denses, toujours plus fins, les circuits arrivent aujourd'hui à certaines limites dans les méthodes de production classique. Ainsi, les galettes de silicium - wafer en anglais - sur lesquelles sont imprimés ces circuits doivent-elles être toujours plus fines. Cependant, les techniques traditionnelles d'abrasion ne sont plus efficaces. Elles ne permettent que de produire des wafers à l'unité et impliquent une perte en matériau de base de 50%.
Des chercheurs du Centre de Recherche en Nanoingénierie de l'UPC ont ainsi trouvé une méthode pour produire ces wafers ultra fins (de quelques micromètres d'épaisseur) de manière plus économique et rapide. La méthode permet de produire ces wafers avec un nombre de couches atomiques de silicium contrôlé, créant un millefeuille de silicium. Il s'agit de partir d'un cristal de silicium, d'y créer des pores et de soumettre le tout à haute température. En contrôlant le processus, les chercheurs sont parvenus à obtenir des wafers d'une épaisseur donnée. A partir d'un wafer de 300 microns, ils ont obtenu ainsi jusqu'à 10 wafers de 5 à 7 microns d'épaisseur.
Ces nouveaux wafers ultrafins sont attendus par l'industrie microélectronique pour créer des circuits en trois dimensions ou encore pour assurer une intégration parfaite entre les circuits électroniques et les Micro système électromécaniques (MEMS). D'autres applications possibles sont attendues dans le domaine du photovoltaïque.