L'Institut National des Sciences et Génies de Matériaux au Japon (NIMS) a développé un matériau destiné à être utilisé dans les semi-conducteurs ou les transistors.
Différents types de mémoire RAM.
De haut en bas: DIP, SIPP, SIMM 30 broches, SIMM 72 broches,
DIMM (168 broches), DDR DIMM (184 broches).
Les cristaux d'oxyde de titane utilisés ont une forme de feuille de 1 nm d'épaisseur. En empilant les feuilles les unes sur les autres, on obtient un bloc de 5 à 15 nm de hauteur. Cette structure empilée limite fortement les courants de fuite et les pertes des composants fabriqués avec ce nano-matériau consommeraient ainsi moins d'un centième de la puissance qui lui est fournie. De plus la valeur de la constante diélectrique de ce matériau est incroyablement haute ce qui signifie que les charges sont stockées avec une grande densité. Cette dernière propriété multiplie par 100 la capacité des mémoires conventionnelles à semi-conducteurs.
Selon ses créateurs, le nano-matériau peut aussi être utilisé pour la couche isolante des transistors. Sa fabrication ne nécessite aucune condition particulière de température et de pression et peut donc être faite à température ambiante et sans besoin de travailler sous-vide.
L'Institut National des Sciences et Génies de Matériaux travaille actuellement en collaboration avec des fabricants de puces japonais et étranger pour mettre en pratique le nouveau nano-matériau, en premier lieu pour fabriquer des condensateurs à grande capacité puis, plus tard, l'élaboration de mémoires et de transistors.