Après les mémoires Flash SLC (Single-Level Cell) et MLC (Multi-Level Cell), on entend aujourd'hui parler des mémoires TLC (Triple-Level Cells). Cette dénomination évoque le nombre de bits stockés par cellule (le nombre de 3 a donc été atteint). IMFT (Intel-Micron Flash Technologies), qui produisait déjà depuis plusieurs mois une mémoire flash MLC gravée à 25 nanomètres, annonce aujourd'hui une production de mémoire NAND Flash TLC également gravée à 25 nanomètres.
La satisfaction apportée n'est pas uniquement dûe aux nombres de bits par cellule, car Scandisk a déjà présenté sa technologie x4 en Octobre 2009 qui supportait 4 bits par cellule. Mais la solution de Scandisk était réalisée avec une gravure de 43 nanomètres, finesse largement dépassée par IMFT.
Cette gravure permet d'obtenir une puce de 64 Gigabits (8 Go) de la taille d'un ongle (131 mm² exactement). Il devient alors possible de coupler plusieurs puces afin d'atteindre une capacité de stockage intéressante, pour un volume beaucoup plus faible qu'aujourd'hui. D'après le fabricant, les modules ainsi produits seraient 20% moins encombrants que ceux de 8Go en 25 nanomètres de Micron (actuellement considérés comme les moins encombrants). Cependant, ce type de puces se révèle être plus lent en écriture, par rapport aux MLC (qui elles-mêmes sont plus lentes que les SLC). Mais cet inconvénient n'est sûrement qu'une question de temps avant que des contrôleurs dédiés ne soient conçus.
Initialement, le TLC était prévu pour la fin de l'année dernière. Mais la finesse de gravure à 25 nanomètres n'a été atteinte que début 2010. A ce jour, seuls des échantillons ont été livrés. La production de ces puces est prévue pour la fin de l'année. Elles seront probablement destinées au marché des clés USB et des cartes mémoire.
Auteur de l'article: Cédric DEPOND